简介： 本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法，特别是利用倒置多孔氧化铝模板，转印有序点阵技术，利用溅射技术制备有序高密度锗纳米点阵的制备方法。本发明采用经典两步阳极氧化法制备多孔氧化铝不通孔模板，然后利用溅射技术，在保持高真空环境的工作室中，以高纯氩气为工作气体，工作室溅射压强0.5Pa～2Pa，生长温度600～800℃，溅射功率50W～100W条件下，在被移植到硅基底材料上生长厚度＜50nm硅缓冲层完成有序结构的转印，然后呈有序结构分布的硅缓冲层上生长锗纳米点阵。本发明具有生产成本低、可控性好、所制备锗纳米点阵具有密度高，有序性好等特点。