简介： 本发明涉及一种超大半强度角的支架式红外发射管及其制造方法。所述红外发射管的制造流程为：光学仿真→排框架→扩晶→固晶→前固化→焊线→备胶→框架粘胶→灌胶→插框架→压框架→烘烤→离模→后固化→半切→条测→全切。所述固晶为：将芯片固定在产品支架灯杯处，起到相应的电气连接作用；并通过增加银浆量，来减小芯片与胶体表面之间的距离，减小胶体聚焦作用对半强度角的影响；所述焊线为：将金线两端分别打在芯片电极和框架上，使得芯片电极和框架之间形成正确的电性连接，焊线时严格控制线弧高度。本发明通过对其制造工艺进行设计、改进，实现了超大半强度角的支架式红外发射管的生产；制得的红外发射管，半强度角≥110°，辐射强度≥1.5mW/sr。