简介:
本发明公开了一种具有较低烧结温度的微波介质陶瓷,其组分为(Mg1-xSnx)TiO3,其中 x=0.03-0.08,其原料摩尔百分比含量为TiO2 50%、MgO 40-50%、SnO2 0-10%。采用固相合 成工艺,制备步骤为:(1)配料;(2)于1100℃煅烧,合成前驱体、球磨、烘干;(3)制 坯、于1150-1250℃烧结。本发明通过Sn2+离子部分取代Mg2+离子,改善了MgTiO3基陶瓷 的微波介电性能,降低了该体系的烧结温度(1150-1250℃),实现了在较低温度下的致密烧 结,制备工艺简单、制备过程无污染。
本发明公开了一种具有较低烧结温度的微波介质陶瓷,其组分为(Mg1-xSnx)TiO3,其中 x=0.03-0.08,其原料摩尔百分比含量为TiO2 50%、MgO 40-50%、SnO2 0-10%。采用固相合 成工艺,制备步骤为:(1)配料;(2)于1100℃煅烧,合成前驱体、球磨、烘干;(3)制 坯、于1150-1250℃烧结。本发明通过Sn2+离子部分取代Mg2+离子,改善了MgTiO3基陶瓷 的微波介电性能,降低了该体系的烧结温度(1150-1250℃),实现了在较低温度下的致密烧 结,制备工艺简单、制备过程无污染。