简介： 本发明提供了一种底栅薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管包括：衬底、设置在所述衬底上的栅极、覆盖所述栅极的介电层、设置在所述介电层上的源极和漏极，以及覆盖所述源极和所述漏极的半导体材料层；所述源极和所述漏极相互间隔，且与所述栅极对准；所述介电层上开设有与所述栅极的连接线连通的通道。本发明提供的薄膜晶体管能够消除寄生电容，具有较短的沟道，其性能检测方便快捷，半导体材料层可反复洗脱和生长，实现了下层基材的重复利用。