简介： 本发明公开了一种高强度芯片封装方法，该高强度芯片封装方法主要包括如下步骤：a）安接基板，b）安接芯片，c）性能检测，d）灌注封胶层，e）镀覆金属层，f）喷涂散热层，g）成品检测。本发明揭示了一种高强度芯片封装方法，该封装方法工序安排合理，易于实施，封装过程中芯片外部的封装体由多道工序进行制备，形成了多层封装结构，实现了对芯片的多重保护，有效提高了封装结构的强度和韧性，同时，还确保了封装结构良好的散热性能，使芯片的使用性能更加优越。