简介： 本发明涉及一种从烧结的SiC晶须粗料中获得 高品级SiC晶须产品的分离工艺，其特征在于经粉 碎的物料两次调浆后进行反浮选，其尾矿再进行旋流 器分离，或者采用正浮选处理，中矿采用旋流器组或 快速摇床处理，该工艺过程进行合理组合可用于易处 理和难处理物料的分离，分别得到高品级SiC-w产 品，其品级达97-98％，平均直径1.0，1.5和≥ 3.0μm，为高科技领域复合材料提供优质增强剂，该 工艺分离效果好，节省药剂，设备互换性好，操作简 单。