简介： 本发明公开了一种用复合腐蚀剂和磁选的方法去除多晶硅表面杂质的技术,属于物理冶金领域。金属硅原料经粗破、细破、筛分、磁选后,放入带搅拌的容器中,加入腐蚀剂,加温,搅拌,滤液循环使用,滤饼经洗涤、脱水、烘干得脱杂多晶硅,可作为提纯铸锭或电子束炉等其它火法提纯的入炉料。本发明采用湿法冶金的方法大大降低了火法设备除杂的生产成本,是一种工业上可大规模实施的操作简单,低投资、低能耗的新型多晶硅湿法冶金法除杂方法。可将不经任何选别提纯预处理的原料多晶硅中金属杂质从几千ppmw降低至200ppmw以下。摒弃了直接火法冶金法电耗大、设备投资大的弊端,提供一种工业上可大规模实施的操作简单,低投资、低能耗的一条可行的新途径。