简介： 本实用新型公开了一种纳米非极性面GaN锥形阵列材料。该纳米非极性面GaN锥形阵列材料包括依次层叠结合的铝酸锂衬底层、氮化镓缓冲层和氮化镓模板层以及生长在所述氮化镓模版层外表面的氮化镓纳米锥。本实用新型纳米非极性面GaN锥形阵列材料在氮化镓层外表面生长有氮化镓纳米锥，且该氮化镓纳米锥阵列分布。同时，该无金属杂质污染，晶体质量高。