掺杂的NiO、发光二极管及其制备方法
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掺杂的NiO、发光二极管及其制备方法
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简介: 本发明公开一种掺杂的NiO、发光二极管及其制备方法,其包括步骤:将镍盐、第一掺杂盐和第二掺杂盐混合于去离子水或者2?甲氧基乙醇中,加入甘氨酸或乙酰丙酮,然后加热,制备得到LixMyNiO;其中,第一掺杂盐为锂盐,第二掺杂盐为镁盐、铜盐或锌盐;LixMyNiO中,M=Mg或Cu或Zn,0<x<1,0<y<1。本发明LixMyNiO薄膜的制备温度低,可以在150~200℃的温度范围内制备得到。且在LixMyNiO薄膜制备的过程中,加入少量的氨水,可以保证前驱体溶液的稳定性。在保证氧化镍的功函数不降低的情况下,提高了其空穴传输的能力,降低空穴的注入势垒;使本发明发光二极管取得了更高的效率。
本发明公开一种掺杂的NiO、发光二极管及其制备方法,其包括步骤:将盐、第一掺杂盐和第二掺杂盐混合于去离子水或者2?甲氧基乙醇中,加入甘氨酸或乙酰丙酮,然后加热,制备得到LixMyNiO;其中,第一掺杂盐为盐,第二掺杂盐为镁盐、盐或盐;LixMyNiO中,M=Mg或Cu或Zn,0<x<1,0<y<1。本发明LixMyNiO薄膜的制备温度低,可以在150~200℃的温度范围内制备得到。且在LixMyNiO薄膜制备的过程中,加入少量的氨水,可以保证前驱体溶液的稳定性。在保证氧化镍的功函数不降低的情况下,提高了其空穴传输的能力,降低空穴的注入势垒;使本发明发光二极管取得了更高的效率。
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