简介： 本发明涉及SnO2@PPy纳米薄膜结构材料及其制备方法，其为生长在泡沫镍上的SnO2纳米棒表面被聚合物吡咯(PPy)包覆，所述的聚合物吡咯形成薄膜的厚度为0.8～1.5μm，其采用下述方法制得，包括有以下步骤：1)将吡咯单体分散在高氯酸锂乙腈溶液中，混合搅拌30min；2)以已经生长SnO2纳米棒阵列的泡沫镍为工作电极，以Ag/AgCl为参比电极，以铂电极为对电极进行电沉积2000s，电流密度1.6mA/cm2，洗涤即得。本发明的有益效果是：采用电化学沉积的方法将PPy生长在SnO2纳米棒的表面，这样可以起到缓冲层的作用，不仅提高了材料电导率，改善了电极材料的循环稳定性。