简介： 提供了在微电子学中用于接合异种材料的技术。示例技术使用厚度介于100纳米至1000纳米之间的薄氧化物、碳化物、氮化物、碳氮化物或氧氮化物中间物，在环境室温下直接键合异种材料。中间物可以包括硅。异种材料可能具有显著不同的热膨胀系数(CTE)和/或显著不同的晶格晶胞几何形状或尺寸，常规上讲会导致应变过大以使得直接键合不可行。在直接键合异种材料之后，环境室温下的固化时段允许直接键合增强200％以上。以每分钟1℃或更低的温度增加速率缓慢施加的相对低温的退火会进一步增强和巩固直接键合。示例技术可以在各种新型光学器件和声学器件的制作过程中将钽酸锂LiTaO₃直接键合到各种传统衬底。