电池级氢氧化钴纳米片的制备方法
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电池级氢氧化钴纳米片的制备方法
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简介: 本发明涉及氢氧化钴制备领域,具体涉及一种电池级氢氧化钴纳米片的制备方法。本发明使用反应釜容器实行液相共沉淀法,利用超高浓度钴液和碱液,在高温下,高搅拌,高临界范围pH,高氮气保护气流量,高固含量,实现了控制结晶法,通过掺杂硼离子和铝离子在后续烧结钴酸锂晶体作为添加剂,出现硼化铝的化合物,在此时晶核生长速度大于颗粒生长速度,从而达到分散性好,高比表面积与振实,方便工业化,具有很好应用潜力的掺杂硼、铝氢氧化钴纳米片。
本发明涉及氢氧化制备领域,具体涉及一种电池级氢氧化钴纳米片的制备方法。本发明使用反应釜容器实行液相共沉淀法,利用超高浓度钴液和碱液,在高温下,高搅拌,高临界范围pH,高氮气保护气流量,高固含量,实现了控制结晶法,通过掺杂硼离子和离子在后续烧结钴酸晶体作为添加剂,出现硼化铝的化合物,在此时晶核生长速度大于颗粒生长速度,从而达到分散性好,高比表面积与振实,方便工业化,具有很好应用潜力的掺杂硼、铝氢氧化钴纳米片。
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