简介： 本发明公开了一种低膨胀的硅基负极材料及其制备方法和应用，包括:氧化亚硅基体、以及均匀分散在氧化亚硅基体中的三维枝状的气相二氧化硅；三维枝状的气相二氧化硅的质量占氧化亚硅基体的质量的百分比为0.1%‑10%；三维枝状的气相二氧化硅的链状聚集体的尺寸在100nm‑500nm之间；生成三维枝状的气相二氧化硅的原生粒子的粒径在7nm‑40nm之间；本发明的硅基负极材料，由于三维枝状的气相二氧化硅构成的网络结构具有高强度和高韧性，在脱嵌锂的过程中可以分散氧化亚硅体积膨胀收缩的应力，降低材料的膨胀率，提高材料的循环性能。