简介： 本发明涉及一种快速生长SnO₂纳米片的方法，包括以下步骤：S1)、生长溶液的制备，S2)、SnO₂纳米片的生长，将制备好的生长溶液和干净的ITO衬底放入高压釜当中，在160‑250℃下保温0.5‑4h；S3)、样品清洗，采用去离子水超声波清洗样品3‑5次，去除残留的试剂；本发明生长周期短，且纳米片的均一性好，可以提升SnO₂纳米材料的灵敏度；制备工艺简单，制备成本低，且性能稳定，并且制备的SnO₂纳米片具有较好的光催化降解功能；本发明制备SnO₂纳米片分布较为规则，有利益增大纳米材料的比表面积；本发明制备SnO₂纳米片在锂离子电池、传感器、光催化等领域具有良好的应用前景。