简介： 本发明公开一种大尺寸LiTaO3晶体的全自动控制晶体生长方法，包括以下步骤：S1：制备原料；S2：搭建温场；S3：充保护气体；S4：控制晶体生长及降温过程：按照6～30rpm的转速旋转钽酸锂籽晶，当晶体直径d生长至D的40％时，在旋转晶体的同时，以0.2～4mm/h的拉速向上提拉，当晶体直径生长至90％时，利用PID算法自动调控温场系统的加热功率，在60～120h内降至室温；S5：多线定向切割。本发明采用两步法完成等径生长，在放肩阶段前段，仅进行晶体横向生长，并通过PID算法主动完成降温过程，使晶体成品率≥90％，确保批量生长晶体的均匀性，具有晶体生长速度可控、生长尺寸大、重复性好的优点，适合大规模工业化生产。