简介： 本申请公开了一种高比电容的碳组合材料及其制备方法和应用。本申请的高比电容的碳组合材料，由原子掺杂量为10％‑25％的第一组分碳材料，与原子掺杂量为0％‑10％的第二组分碳材料混合而成。本申请的碳组合材料中，第一组分碳材料的原子掺杂量相对较高，具有高赝电容的特点，而第二组分碳材料的原子掺杂量相对较低，具有较好的导电性，两者优化互补；因此，将本申请的碳组合材料制成极片，在脱嵌锂的过程中，第二组分碳材料不仅提供了导电网络而且可以提供一部分赝电容，第一组分碳材料在导电网络里面更有助于掺杂原子赝电容的发挥，两种碳材料相互作用，从而提高了电极材料的整体性能。