简介:
本发明涉及电池保护IC芯片。本发明的目的在于提高锂离子电池保护模块中的充电放控制用FET的温度检测精度。本发明的技术方案中,控制IC芯片(120)除具有放电过电流检测部(VD3)、充电过电流检测部(VD4)外,还具有温度检测部(148)。通过将控制IC芯片(120)重叠地装在充电控制用FET芯片及放电控制用FET芯片的上面,可以将温度检测部(148)配置成与充电控制用FET芯片及放电控制用FET芯片极为靠近,从而可以对充电控制用FET芯片及放电控制用FET芯片的温度进行高精度的检测。
本发明涉及电池保护IC
芯片。本发明的目的在于提高
锂离子电池保护模块中的充电放控制用FET的温度检测精度。本发明的技术方案中,控制IC芯片(120)除具有放电过电流检测部(VD3)、充电过电流检测部(VD4)外,还具有温度检测部(148)。通过将控制IC芯片(120)重叠地装在充电控制用FET芯片及放电控制用FET芯片的上面,可以将温度检测部(148)配置成与充电控制用FET芯片及放电控制用FET芯片极为靠近,从而可以对充电控制用FET芯片及放电控制用FET芯片的温度进行高精度的检测。