简介:
本发明公开了一种片层Sb@Sb‑In‑S@rGO钠离子电池负极材料及其制备方法,制备方法包括下述的步骤:将铟盐、硫源和氧化石墨烯混合后,通过水热法制备片层In2S3/rGO复合材料;将锑盐与In2S3/rGO复合材料在溶液中进行离子交换反应得到片层Sb‑In‑S@rGO复合材料;将Sb‑In‑S@rGO复合材料进行退火处理。本发明制备的片层Sb@Sb‑In‑S@rGO复合材料作为钠离子电池负极,具有较高的能量密度、具有快速充电能力、较好的循环稳定性、是理想的锂离子电池替代者。本发明制备工艺成本低、操作简单、过程易控制、周期短,对生产设备要求较低,便于进一步扩大化生产,且高效节能、污染小。
本发明公开了一种片层Sb@Sb‑In‑S@rGO
钠离子电池负极材料及其制备方法,制备方法包括下述的步骤:将铟盐、硫源和氧化
石墨烯混合后,通过水热法制备片层In
2S
3/rGO
复合材料;将锑盐与In
2S
3/rGO复合材料在溶液中进行离子交换反应得到片层Sb‑In‑S@rGO复合材料;将Sb‑In‑S@rGO复合材料进行退火处理。本发明制备的片层Sb@Sb‑In‑S@rGO复合材料作为钠离子电池负极,具有较高的能量密度、具有快速充电能力、较好的循环稳定性、是理想的
锂离子电池替代者。本发明制备工艺成本低、操作简单、过程易控制、周期短,对生产设备要求较低,便于进一步扩大化生产,且高效节能、污染小。