简介： 本发明提供一种双向导通槽栅功率MOS器件结构及其制造方法，在硅片表面形成栅极、源极和漏极，实现双向导通双向耐压的功率MOS器件，可用于锂电池BMS防护等应用环境下。相比于传统BMS中采用双管串联的方式以及其他实现双向导通的结构，本发明提出的器件结构具有以下优点：第一，本发明提出的器件仅需要占据传统方式一半甚至更小的面积，极大地提高了集成度；第二，本发明所提出的器件结构制造工艺简单且制造成本也不高，降低了工艺制造上的问题；第三，本发明所提出的器件结构漏极和源极可以对换，实现上真正意义上的对称结构和双向导通双向耐压；第四，本发明所提出的器件结构由于漏极、源极和栅极均在硅片表面，因此易于集成，增加了应用环境。