制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法
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制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法
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简介: 一种纳米材料制备技术领域的制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法,所用的锡源为氯化亚锡,硫源为硫代乙酰胺,螯合剂为三乙醇胺,采用原位溶剂热法制备具有规则的纳米片阵列薄膜。首先将亚锡盐溶于三乙醇胺、丙酮以及柠檬酸钠溶液中,再加入氨水调节PH,加入硫源后,最后混合溶剂体积比为1:1的水/乙二醇加入,得到SnS前体反应液。反应液并加入反应釜,再插入玻璃片,进行溶剂热原位反应,即可得到具有规则的纳米片阵列薄膜。本发明方法简单,成本低,阵列均一,纳米片厚度为4~8nm,长度约为150~210nm,这为硫化亚锡在太阳能电池、光催化、锂离子电池及超级电容器的应用提供一种有效的方法。
一种纳米材料制备技术领域的制备硫化亚纳米片阵列薄膜的方法,所用的锡源为氯化亚锡,硫源为硫代乙酰胺,螯合剂为三乙醇胺,采用原位溶剂热法制备具有规则的纳米片阵列薄膜。首先将亚锡盐溶于三乙醇胺、丙酮以及柠檬酸钠溶液中,再加入氨水调节PH,加入硫源后,最后混合溶剂体积比为1:1的水/乙二醇加入,得到SnS前体反应液。反应液并加入反应釜,再插入玻璃片,进行溶剂热原位反应,即可得到具有规则的纳米片阵列薄膜。本发明方法简单,成本低,阵列均一,纳米片厚度为4~8nm,长度约为150~210nm,这为硫化亚锡在太阳能电池、光催化、离子电池及超级电容器的应用提供一种有效的方法。
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标签:加工技术
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