简介： 本发明公开了一种复合材料防伪元件及该防伪元件的制备方法和应 用，该防伪元件至少包含由LiNbO3基层和沉积于该LiNbO3基层上至少部 分区域的Co基非晶磁性薄膜层所形成的复合层，并且，所述Co基非晶磁 性薄膜层的厚度为50-300nm。本发明提供的新型复合防伪元件，将非晶软 磁材料沉积在铌酸锂基层上，在不改变合金成分的情况下，磁矩(饱和磁 化强度)会异常增加，该磁特征不可能仅通过测定合金成分而实现仿冒， 提高了仿冒难度，同时改善了目前非晶材料磁特征信号弱，不利于检测的 缺陷，更利于非晶材料在防伪领域的应用。