光通信元件用基材、其制造方法及利用它的光通信元件
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光通信元件用基材、其制造方法及利用它的光通信元件
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简介: 本发明提供一种具有温度补偿技术所必需的负 的热膨胀系数,且热膨胀磁滞小的光通信元件用基材、其制造 方法及使用它的光通信元件。本发明的光通信元件用基材是一 种在-40~+100℃下的平均热膨胀系数为-55~-120× 10-7/℃,并由包含将β-石英 固溶体或β-锂霞石固溶体作为主结晶的陶瓷或玻璃陶瓷构 成的光通信元件用基材;其特征在于:在从-40℃到100℃进 行1℃/分的升温,及从100℃到-40℃进行1℃/分的降温时, 所产生的最大热膨胀磁滞未满12ppm。而且,本发明的光通信 元件用基材的制造方法的特征在于:对基材交互各自进行多数 次在20℃以上的温度下的高温处理和20℃以下的温度下的低 温处理,且高温处理和低温处理的温度差为40~240℃。而且, 本发明的光通信元件的特征在于:光通信元件用基材在从-40 ℃到100℃进行1℃/分的升温,及从100℃到-40℃进行1℃/ 分的降温时所产生的最大热膨胀磁滞未满12ppm。
本发明提供一种具有温度补偿技术所必需的负 的热膨胀系数,且热膨胀磁滞小的光通信元件用基材、其制造 方法及使用它的光通信元件。本发明的光通信元件用基材是一 种在-40~+100℃下的平均热膨胀系数为-55~-120× 10-7/℃,并由包含将β-石英 固溶体或β-霞石固溶体作为主结晶的陶瓷或玻璃陶瓷构 成的光通信元件用基材;其特征在于:在从-40℃到100℃进 行1℃/分的升温,及从100℃到-40℃进行1℃/分的降温时, 所产生的最大热膨胀磁滞未满12ppm。而且,本发明的光通信 元件用基材的制造方法的特征在于:对基材交互各自进行多数 次在20℃以上的温度下的高温处理和20℃以下的温度下的低 温处理,且高温处理和低温处理的温度差为40~240℃。而且, 本发明的光通信元件的特征在于:光通信元件用基材在从-40 ℃到100℃进行1℃/分的升温,及从100℃到-40℃进行1℃/ 分的降温时所产生的最大热膨胀磁滞未满12ppm。
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