简介： 本发明涉及一种SnO2纳米管阵列的低温化学气相沉积制备方法，是以易挥发的SnCl2·2H2O作锡源，在560～610℃的马弗炉内反应，生成大面积的SnO2纳米管阵列，所制备的SnO2纳米管阵列可直接生长在FTO导电玻璃上，其工艺简单、反应条件温和、阵列取向性好，可在传感器、锂离子电池、染料敏化太阳能电池和场发射显示器等领域推广应用。