简介： 本发明公开了一种高消光比电光调制器，包括铌酸锂基片、U型槽光纤固定装置、输入输出光纤以及级联M‑Z干涉仪结构；级联M‑Z干涉仪结构包括级联M‑Z干涉光波导、直波导、分离的行波电极和偏置电极；其中输入光纤和输出光纤均为熊猫型保偏光纤；U型槽光纤固定装置固定输入光纤和输出光纤，使光纤与波导耦合对接；每一级M‑Z干涉仪的分束耦合区采用Y分支波导结构，在两级M‑Z干涉仪之间加入直波导；在M‑Z干涉仪波导两侧制作共面金属行波电极，设置分离的偏置电极。本发明大大提高了器件的消光比，为激光雷达和光纤传感中高消光比光脉冲产生技术提供了低成本、集成化外调制器件。