简介： 本发明公开了一种SnO2纳米线阵列的制备方法，包括以ITO玻璃为衬底，采用水热法进行SnO2纳米线阵列生长，所述的SnO2纳米线阵列中SnO2纳米线的长径比为4～12，所述的SnO2纳米线阵列中SnO2纳米线的直径为50～100nm，SnO2纳米线的长度为400～600nm。本发明所得的SnO2纳米线阵列结构是由金红石结构的SnO2单晶纳米棒构成，从微观结构上看，SnO2纳米线阵列排列致密，均一性好，可以用作场发射、光催化、气敏传感器和锂离子电池负极材料。