简介： 本发明涉及一种三氧化钼四方纳米片的制备方法,其特征在于步骤如下：将钼源、硫源及还原剂溶于溶剂中，通过离心搅拌使其均匀的分散到溶液中，移入不锈钢反应釜，密封，恒温100℃～300℃反应24h后，冷却至室温，得到反应产物，分离上述反应产物，洗涤、干燥，得到前驱体MoS2；将MoS2纳米材料置于管式炉中，在空气或氧气气氛中，300℃～600℃下恒温保温24h，退火0.5～5h得到MoO3四方纳米片，厚度在100-150nm，大小1～2μm。本发明方法的原料易得、价格低廉，制备工艺简单、参数易控，生产过程安全环保，其能在气敏、磁性及锂电材料等方面广泛应用。