简介： 本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及高产率CuInP₂S₆量子点的制备，为开发一种能够高产率高通量制备CuInP₂S₆低维材料的方法，本发明提供一种高产率CuInP₂S₆量子点的制备方法，将经研磨后的CuInP₂S₆晶体与锂的烷基衍生物混合均匀，进行静置处理；静置后的产物经清洗后与水混匀，进行超声分散处理；对超声分散后的产物进行离心收集上清液，上清液兑入无水乙醇后离心收集沉淀，沉淀经清洗后再次兑入无水乙醇，离心收集沉淀，最后将沉淀进行干燥得到CuInP₂S₆量子点。采用本发明方法生产CuInP₂S₆量子点，效率高，产率高至28.7％，具有较好的经济效益。