简介： 本发明公开了一种纳米孪晶铜箔及其制备方法，属于电解铜箔制备技术领域。该铜箔利用直流电解沉积技术制备得到，其厚度在3‑100微米范围内可控调节。该铜箔内部微观结构由柱状晶粒组成，自下而上，柱状晶粒尺寸由纳米量级逐渐增加到微米量级；柱状晶粒内存在纳米尺度的孪晶片层，晶粒的取向由随机取向变为强(111)织构。纳米孪晶铜箔的厚度为6微米时，其抗拉强度高于500MPa，同时具有较高的稳定性和导电性，在锂离子电池和电路板领域具有较好的应用前景。