简介： 本发明属于集成电路制造产业的配套原材料生产技术领域，具体涉及一种碳硼烷含氟光引发剂及其制备方法和应用。首先将碳硼烷，无水四氢呋喃，正丁基锂的正己烷溶液，4‑碘苯甲醚和高锰酸钾的吡啶溶液在氮气保护装置中反应制得双羧基碳硼烷；将双羧基碳硼烷与含氟光引发剂在DMF中进一步反应，在弱碱性缚酸剂的协助作用下，最终制得EUV光刻胶用碳硼烷含氟光引发剂。该光引发剂制备的光刻胶克服了传统光刻胶储存时间短、透光性差、分辨率低、残留物难去除等问题，可进一步提升光刻胶的使用性能，在半导体材料、人工智能、5G手机等领域有巨大潜力，应用前景广阔。