简介： 本发明公开了一种PZT基高居里温度压电陶瓷及制备方法，包括以下重量份数的原料：四氧化三铅100份、二氧化锆26‑28份、二氧化钛15‑17份、五氧化二铌2.0‑4.0份、碳酸锂0.1‑0.2份。经LiNb0₃合成、混料、预烧、造粒、成型及排塑、烧结、上电极、极化、测量制备而成。通过在PZT中引入高居里温度LiNb0₃组分，进一步提高了PZT基压电陶瓷的居里温度Tc，拓展了压电陶瓷在极端环境下的应用。