简介： 实施方式提供包括磁阻效应元件的磁存储装置，所述磁阻效应元件设有具有优异特性的隧道势垒层。实施方式涉及的磁存储装置包括层叠构造(10)，所述层叠构造具备具有可变的磁化方向的第1磁性层(11)、具有固定了的磁化方向的第2磁性层(12)以及设在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间且含有镁(Mg)以及氧(O)的非磁性层(13)，所述非磁性层还含有从氟(F)、硫(S)、氢(H)以及锂(Li)选择的添加元素。