低聚噻吩衍生物及其制备方法
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低聚噻吩衍生物及其制备方法
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简介: 本发明涉及一种低聚噻吩衍生物及其制备方法,低聚噻吩衍生物的制备方法主要包括:将3TB溶于二氯甲烷中,加入NBS搅拌反应,得到3TB-3Br;于三口烧瓶中加入EDOT和四氢呋喃,将反应温度控制在-78℃。滴加正丁基锂,滴加完后逐渐升至室温,并继续反应。然后再将反应温度降到-78℃,滴加三丁基氯化锡,滴加完后将反应温度逐渐升至室温,反应得到EDOT锡试剂;在氮气保护下,于三口烧瓶中加入甲苯,再加入3TB-3Br和EDOT锡试剂以及钯催化剂,回流反应得到3TB-3EDOT的粗产物,经分离得到纯的3TB-3EDOT。其在电化学掺杂时所形成的阳离子(或阴离子)自由基是稳定的,能作为新型有机电致变色材料。
本发明涉及一种低聚噻吩衍生物及其制备方法,低聚噻吩衍生物的制备方法主要包括:将3TB溶于二氯甲烷中,加入NBS搅拌反应,得到3TB-3Br;于三口烧瓶中加入EDOT和四氢呋喃,将反应温度控制在-78℃。滴加正丁基,滴加完后逐渐升至室温,并继续反应。然后再将反应温度降到-78℃,滴加三丁基氯化,滴加完后将反应温度逐渐升至室温,反应得到EDOT锡试剂;在氮气保护下,于三口烧瓶中加入甲苯,再加入3TB-3Br和EDOT锡试剂以及钯催化剂,回流反应得到3TB-3EDOT的粗产物,经分离得到纯的3TB-3EDOT。其在电化学掺杂时所形成的阳离子(或阴离子)自由基是稳定的,能作为新型有机电致变色材料。
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