低温热压快速烧结高热导率氧化铝基透明陶瓷的方法
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低温热压快速烧结高热导率氧化铝基透明陶瓷的方法
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简介: 本发明公开了一种低温热压快速烧结高热导率氧化铝基透明陶瓷的方法,该方法以氧化铝作为原料,二氧化硅和碳酸锂作为烧结助剂,用放电等离子烧结法制备高热导率氧化铝基透明陶瓷;本方法制备的氧化铝基透明陶瓷与传统纯氧化铝陶瓷相比具有明显的优点:显著改善其热导性能,从而达到陶瓷基板散热要求,使高功率LED能够正常地工作;另外解决了纯氧化铝陶瓷烧结温度过高的难题;用此配方及方法制备的稀土掺杂的氧化铝基透明陶瓷,其烧结温度只有1370℃。
本发明公开了一种低温热压快速烧结高热导率氧化基透明陶瓷的方法,该方法以氧化铝作为原料,二氧化硅和碳酸作为烧结助剂,用放电等离子烧结法制备高热导率氧化铝基透明陶瓷;本方法制备的氧化铝基透明陶瓷与传统纯氧化铝陶瓷相比具有明显的优点:显著改善其热导性能,从而达到陶瓷基板散热要求,使高功率LED能够正常地工作;另外解决了纯氧化铝陶瓷烧结温度过高的难题;用此配方及方法制备的稀土掺杂的氧化铝基透明陶瓷,其烧结温度只有1370℃。
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