简介： 本发明公开了一种InSb多晶薄膜负极材料的制备方法及其应用，所述InSb多晶薄膜负极材料为闪锌矿结构的InSb晶体。本发明通过磁控溅射沉积的方式制备了InSb薄膜负极，该材料在充放电循环过程中始终保留整体闪锌矿结构()，并且仅存在极小的体积变化，因此能够在拥有较高容量的情况下稳定循环。本发明提供的InSb多晶薄膜负极材料在30℃条件下首次充电容量为561.8mAh/g，在800次循环后仍有534.6mAh/g的容量，容量保持率高达95.2％。本发明提供的InSb多晶薄膜负极材料在‑50℃条件下首次充电比容量为511.9mAh/g，在250次充放电循环后仍有348.3mAh/g的容量，容量保持率为68.1％。本发明提供的InSb多晶薄膜负极材料在低温下仍具有快速脱嵌锂的特性。本发明提供的InSb多晶薄膜负极材料具有高容量，高倍率，高稳定性，高耐热冲击性的优势。