S型晶化氮化碳同质结光催化材料的制备与应用
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S型晶化氮化碳同质结光催化材料的制备与应用
来源:北方有色网
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简介: 本发明属于半导体光催化材料制备领域,特别涉及一种S型晶化氮化碳同质结光催化材料的制备与光催化CO2还原应用。本发明以三聚氰胺、氯化锂、以及氯化钾为原料,结合异步结晶和静电自组装策略制备出S型晶化氮化碳同质结光催化材料并探究了其在光催化CO2还原领域的应用。该复合材料具有1D/2D面对面接触的结构,包含三嗪和七嗪两种晶相,两种晶相比例可精确调控。在三嗪/七嗪两种晶相的界面间存在界面电场,促使光生电子按照S型转移。S型同质结可通过多种表征证明,并且该S型同质结不受两种晶相比例的影响。在光催化二氧化碳还原应用中,在可见光的照射下,其CO生成速率高达19.38μmol g‑1h‑1,并且具有81.8μmol g‑1h‑1的电子消耗速率。
本发明属于半导体光催化材料制备领域,特别涉及一种S型晶化氮化碳同质结光催化材料的制备与光催化CO2还原应用。本发明以三聚氰胺、氯化、以及氯化钾为原料,结合异步结晶和静电自组装策略制备出S型晶化氮化碳同质结光催化材料并探究了其在光催化CO2还原领域的应用。该复合材料具有1D/2D面对面接触的结构,包含三嗪和七嗪两种晶相,两种晶相比例可精确调控。在三嗪/七嗪两种晶相的界面间存在界面电场,促使光生电子按照S型转移。S型同质结可通过多种表征证明,并且该S型同质结不受两种晶相比例的影响。在光催化二氧化碳还原应用中,在可见光的照射下,其CO生成速率高达19.38μmol g‑1h‑1,并且具有81.8μmol g‑1h‑1的电子消耗速率。
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