简介： 本申请属于半导体光催化技术领域，本申请提供了一种金属掺杂氮化碳材料及其制备方法和应用，其中，所述金属掺杂氮化碳材料为掺杂有金属元素的石墨相氮化碳，所述金属元素为锂、钠、钾、镁或铝。本发明所述的金属离子掺杂石墨相氮化碳，不仅在晶格中引入了缺陷或改变了结晶度，而且可吸附导带的电子，同时还抑制光生电子和空穴的复合，从而提高材料光催化的效率。通过光催化产氢实验结果，表明本发明所述的掺杂金属于石墨相氮化碳中可以改善光催化活性，利于应用。此外，本发明所述材料的制备方法简便，易于推广。