陶瓷基板及其制造方法以及电介质瓷器组合物
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陶瓷基板及其制造方法以及电介质瓷器组合物
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简介: 本发明提供陶瓷基板及其制造方法以及电介质瓷器组合物,本发明的陶瓷基板的热膨胀系数α大、并具有适合于高频基板的特性、能够低温烧成,以及基板强度出色。陶瓷基板含有Mg2SiO4以及低温烧成成分作为主要组成,热膨胀系数α为9.0ppm/℃以上,并含有大于0且25体积%以下的ZnAl2O4、或者大于0且7体积%以下的Al2O3。本发明的电介质瓷器组合物能够在比Ag类金属的熔点更低的温度下进行烧成,而且即使是在低烧成温度下也能够获得充分的抗折强度。电介质瓷器组合物含有Mg2SiO4作为主成分,并且含有锌氧化物、硼氧化物、碱土类金属氧化物、铜化合物以及锂化合物作为副成分。
本发明提供陶瓷基板及其制造方法以及电介质瓷器组合物,本发明的陶瓷基板的热膨胀系数α大、并具有适合于高频基板的特性、能够低温烧成,以及基板强度出色。陶瓷基板含有Mg2SiO4以及低温烧成成分作为主要组成,热膨胀系数α为9.0ppm/℃以上,并含有大于0且25体积%以下的ZnAl2O4、或者大于0且7体积%以下的Al2O3。本发明的电介质瓷器组合物能够在比Ag类金属的熔点更低的温度下进行烧成,而且即使是在低烧成温度下也能够获得充分的抗折强度。电介质瓷器组合物含有Mg2SiO4作为主成分,并且含有氧化物、硼氧化物、碱土类金属氧化物、化合物以及化合物作为副成分。
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