简介： 石英管或石墨坩埚镀裂解碳装置，它涉及一种镀裂解碳装置，本实用新型为解决生长含锂的半导体在温度高于800℃时，锂挥发导致生长单晶体用石英管内壁发生严重腐蚀、甚至石英管破裂以及现有的石墨坩埚含有大量的孔隙导致表面粗糙、不利于生长单晶体的问题。石英管沉淀管平放在加热炉内且管口设置在加热炉外，石英管沉淀管内的侧壁设置有石英支架；将待镀石墨坩埚设置在石英管沉淀管内并通过石英支架支撑，沉淀管盖紧密套装在石英管沉淀管管口处的外壁上，第一进气管的一端穿过沉淀管盖的第一盖孔设置在待镀石墨坩埚的底部。本实用新型用于在石英管或石墨坩埚上镀裂解碳。