简介:
本实用新型涉及电池过放电保护技术领域,具体涉及一种基于NB‑IOT低功耗物联网产品电池的保护电路,包括保护芯片S‑8261、供电电源BAT和工作电压VDD,保护芯片S‑8261包括六个引脚,六个引脚分别为DO引脚、VM引脚、CO引脚、DP引脚、VDD引脚和VSS引脚,DO引脚与FET管G极连接,FET管S极与电阻R2的一端连接,FET管D极分别与GND接地端和电阻R3的一端连接,电阻R3的另一端分别与VM引脚和按键开关SW1的一端连接,本实用新型针对一次性锂亚硫酰氯电池、锂锰电池的过放电及过电流的保护应用,能够有效的控制NB‑IOT低功耗产品的安全性及稳定性,为国家推进物联网产品的进程提供了一个安全保护的手段,也为终端用户避免了巨大的隐患。
本实用新型涉及电池过放电保护技术领域,具体涉及一种基于NB‑IOT低功耗物联网产品电池的保护电路,包括保护
芯片S‑8261、供电电源BAT和工作电压VDD,保护芯片S‑8261包括六个引脚,六个引脚分别为DO引脚、VM引脚、CO引脚、DP引脚、VDD引脚和VSS引脚,DO引脚与FET管G极连接,FET管S极与电阻R2的一端连接,FET管D极分别与GND接地端和电阻R3的一端连接,电阻R3的另一端分别与VM引脚和按键开关SW1的一端连接,本实用新型针对一次性
锂亚硫酰氯电池、
锂锰电池的过放电及过电流的保护应用,能够有效的控制NB‑IOT低功耗产品的安全性及稳定性,为国家推进物联网产品的进程提供了一个安全保护的手段,也为终端用户避免了巨大的隐患。