简介： 本发明提供了一种半导体金属氧化物的原位合成方法，包括：在基底上涂覆一层液态金属醇化物M(OR)y或其溶液或TiCl4，置于空气中10秒以上，形成水解层；再将其置于高温热台上，在高于400℃温度下，在空气中煅烧2分钟以上，即得到半导体金属氧化物，其中，M代表金属元素，R代表烷基单元，OR代表醇根阴离子；再通过30-60分钟的退火（退火温度400-500℃），即可以得到结晶性良好的半导体氧化物。相比于同体系的纳米颗粒材料，本发明制备的半导体金属氧化物结晶性更高，载流子迁移率更大。合成的材料非常有望在染料敏化太阳能电池、光解水制氢、光降解有机污染物及锂离子电池等领域得到广泛的应用。