简介： 本发明涉及一种掺杂Cu的SnOx负极，所述负极以多孔泡沫镍为衬底材料，在多孔泡沫镍表面镀掺杂Cu的Sn薄膜，Cu的质量为Sn的质量的2-5%，用磁控溅射法在多孔泡沫镍上先溅射一层铝，再溅射一层铌；然后在溅射区域放置Cu片，靶材为圆形金属Sn靶。本发明掺杂Cu抑制了SnOx薄膜团簇的生长，使得表面晶粒尺寸变小，材料与电解液接触面积增大，有利于锂离子快速嵌入；此外，表面颗粒尺寸变小，每个颗粒在充放电过程中的绝对体积变化较小，减缓了SnOx嵌入锂离子时体积膨胀，能显著提高SnOx负极循环稳定性。