电泳沉积法制备的二维MXene膜在离子截留中的应用
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电泳沉积法制备的二维MXene膜在离子截留中的应用
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简介: 本发明属于离子截留的技术领域,公开了一种电泳沉积法制备的二维MXene膜在离子截留中的应用。所述二维MXene膜在离子截留中的应用,所述二维MXene膜是利用电泳沉积法得到。所述的应用具体是将二维MXene膜置于离子截留装置中,膜的一侧加入离子化合物溶液,膜的另一侧加入水,二维MXene膜实现离子截留。所述离子化合物溶液的浓度为0.01~2mol/L;所述离子化合物为氯化钠、氯化锂、氯化钾、氯化镁、氯化铝、氯化铜、硫酸钠、硫酸锂、硫酸钾、硫酸铝中一种以上。本发明将电泳沉积法得到的二维MXene膜用于离子拦截时,对离子具有很高的拦截效果;而且膜的密封性好,不易脱落,容易组装。
本发明属于离子截留的技术领域,公开了一种电泳沉积法制备的二维MXene膜在离子截留中的应用。所述二维MXene膜在离子截留中的应用,所述二维MXene膜是利用电泳沉积法得到。所述的应用具体是将二维MXene膜置于离子截留装置中,膜的一侧加入离子化合物溶液,膜的另一侧加入水,二维MXene膜实现离子截留。所述离子化合物溶液的浓度为0.01~2mol/L;所述离子化合物为氯化钠、氯化、氯化钾、氯化镁、氯化、氯化、硫酸钠、硫酸锂、硫酸钾、硫酸铝中一种以上。本发明将电泳沉积法得到的二维MXene膜用于离子拦截时,对离子具有很高的拦截效果;而且膜的密封性好,不易脱落,容易组装。
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