除去金属硅中的磷杂质的方法
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除去金属硅中的磷杂质的方法
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简介: 本发明公开了一种除去金属硅中的磷杂质的方法,如下:第一步、将金属硅置于感应炉中,在氮气气氛下于1460~1500℃熔化;第二步、将体积比为1.2:1~1:1.5的二氧化硅和碳酸锂于1440~1460℃在另一个坩埚中熔化;第三步、将第二步中熔化好的二氧化硅-碳酸锂混合物直接倒入第一步的硅液中,30分钟后停炉;冷却后,硅与渣自然分离;第四步、将第三步中将得到的硅破碎,粉碎至60~90微米;第五步、用1:6的HF酸与HCl对第四步中得到的破碎硅进行浸泡15~30小时,一次可有效除磷85%以上,同时其它金属杂质含量低于200ppm;第六步、重复步骤一~五,进行二次造渣和酸洗;第七步、将得到的硅进行重熔和定向凝固,金属硅中杂质磷含量可降低到0.1ppm以下,其他金属含量总和小于0.1ppm。
本发明公开了一种除去金属硅中的磷杂质的方法,如下:第一步、将金属硅置于感应炉中,在氮气气氛下于1460~1500℃熔化;第二步、将体积比为1.2:1~1:1.5的二氧化硅和碳酸于1440~1460℃在另一个坩埚中熔化;第三步、将第二步中熔化好的二氧化硅-碳酸锂混合物直接倒入第一步的硅液中,30分钟后停炉;冷却后,硅与渣自然分离;第四步、将第三步中将得到的硅破碎,粉碎至60~90微米;第五步、用1:6的HF酸与HCl对第四步中得到的破碎硅进行浸泡15~30小时,一次可有效除磷85%以上,同时其它金属杂质含量低于200ppm;第六步、重复步骤一~五,进行二次造渣和酸洗;第七步、将得到的硅进行重熔和定向凝固,金属硅中杂质磷含量可降低到0.1ppm以下,其他金属含量总和小于0.1ppm。
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