简介： 本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体公开一种具有梯形衬底的PPLN脊形波导器件的制作方法，通过在铌酸锂晶体的一面设置能够进行标记的划痕，通过控制划痕深度来控制抛光程度，达到精密抛薄的效果，从而简化了铌酸锂薄膜的制备过程，具有很强的实用价值。