内嵌双层膜的LNOI晶片及其制备方法
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内嵌双层膜的LNOI晶片及其制备方法
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简介: 本发明公开了一种内嵌双层膜的LNOI晶片及其制备方法,该晶体的整体结构自基底向上层依序包括:硅或铌酸锂基底(1)、二氧化硅缓冲层(2)、金电极层(3)、半导体有机高分子层(4)和铌酸锂薄膜层(5),所述金电极层(3)和所述半导体有机高分子层(4)为内嵌双层膜。与现有技术相比,本发明极大地降低了波导的损耗,波导性能优良;使LNOI材料形成电流回路起到了很重要的便利作用,显著提高了LNOI材料形成光学或微电子学器件的可行性;本发明将直接推动基于LNOI平台的集成光路和器件向实用化方向迈进,可为下一代光电混合集成芯片的研发提供支撑。
本发明公开了一种内嵌双层膜的LNOI晶片及其制备方法,该晶体的整体结构自基底向上层依序包括:硅或铌酸基底(1)、二氧化硅缓冲层(2)、金电极层(3)、半导体有机高分子层(4)和铌酸锂薄膜层(5),所述金电极层(3)和所述半导体有机高分子层(4)为内嵌双层膜。与现有技术相比,本发明极大地降低了波导的损耗,波导性能优良;使LNOI材料形成电流回路起到了很重要的便利作用,显著提高了LNOI材料形成光学或微电子学器件的可行性;本发明将直接推动基于LNOI平台的集成光路和器件向实用化方向迈进,可为下一代光电混合集成芯片的研发提供支撑。
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