简介： 本发明属于全固态锂电池技术领域，特别涉及一种降低氧化物无机固态电解质晶界电阻的方法。先制备氧化物无机固态电解质二维纳米片分散液；再将分散液中的氧化物无机固态电解质二维纳米片堆叠在基膜上形成层状框架；再将g‑C3N4的前驱体溶液引入层状框架中；最后在惰性氛围下煅烧处理，得到原位生长g‑C3N4修饰层的层状氧化物无机固态电解质膜。本发明提供了一种降低氧化物无机固态电解质晶界电阻的方法，所用的g‑C3N4晶界修饰无需高温烧结，同时修饰晶界后，获得的薄型层状无机固态电解质具有良好的室温离子电导率和高的机械强度，并且能很好抑制锂枝晶生长。电解质所组装的电池具有优异的循环寿命及高的安全性，降低电池的容量衰减，增加了电池的寿命。