简介： 本发明提供一种高电导率Si/C纳米膜的制备方法，该方法包括以下步骤：首先，将碳源和硅源按1～24：1的质量比溶解于溶剂中，经搅拌得到预溶液；其次，将预溶液进行静电纺丝，获得预产物；再次，将所述预产物依次经过干燥、固化和煅烧操作，得到Si/C纳米膜；最后，将上述Si/C纳米膜进行真空镀膜，镀一层导电层，即得到高电导率Si/C纳米膜。本发明所制得的高电导率Si/C纳米膜作为锂电负极材料应用时，不仅体现出优异的导电性能，还能显著提高锂离子电池的循环稳定性和倍率性能，能够更好的满足纯电动车电池负极材料的应用需求。