简介： 本发明公开了一种改进的集成光学装置(5a－ 5g)，该装置设有第一和第二装置(10a－10g；15a，15e)，后者 彼此光耦合并以第一和第二不同的材料体系制成，第一或第二 装置(10a－10g；15a，15e)之一在第一与第二装置(10a－10g； 15a，15e)之间的耦合区处或其附近具有量子势阱混杂(QWI)区 (20a，20g)。第一材料体系可以是基于砷化镓(GaAs)或磷化铟 (InP)的III－V半导体，而第二材料体系可以是二氧化硅(SiO2)、硅(Si)、铌酸锂(LiNbO3)、聚合物，或玻璃。