简介： 本发明属于电化学锂硫电池技术领域，具体公开了基于纳米花状硫化铟作为隔膜修饰材料及其制备方法和应用。基于纳米花状硫化铟材料的修饰隔膜制备包括以下步骤：将纳米花状In2S3与导电剂、粘结剂在有机溶剂中均匀混和成浆料，涂覆在隔膜上，烘干即可，并公开了所用纳米花状硫化铟的制备方法。纳米花状硫化铟应用于锂硫电池隔膜修饰时，有效抑制了多硫化物的穿梭，同时纳米硫化铟也具有电催化能力，可以催化硫还原反应，有效提升锂硫电池反应动力学，表现出了优异的放比电容量、良好循环稳定性和优异的倍率性能。本发明在开发切实可行的锂硫电池及相关能量存储和转换领域的材料方面具有重要的价值。