简介： 提供了一种用于减轻DC偏压漂移的铌酸锂调制器结构(30),其包括图形化在具有一个或多个DC部分(38,40)和RF部分(42)的光波导(34)上的重掺杂半导体层(44,54),其中金属层或触点(50)与半导体层(44,54)的一部分相接触并且在RF部分(42)中淀积缓冲层(46)。还提供了一种用于制作具有上述结构的铌酸锂光电调制器的方法。